在IC芯片行業(yè)，溫度沖擊試驗是評估IC產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬之間的界面的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動的液體從高溫到低溫重復(fù)變化。在快速溫度變化的過程中（比如日夜溫差，突然下雨，四季變化等），芯片會出現(xiàn)熱疲勞而失效，其能快速驗證芯片封裝材料、制程工藝等瑕疵。常見失效模式是芯片分層，焊球斷裂，引腳疲勞拉斷等。
三箱式溫度沖擊試驗箱相對于兩箱提籃式的特點就是樣品放在中間的腔室中不動，高溫氣體在上面一個腔室中，低溫在下面腔室中。當(dāng)要進(jìn)行高溫沖擊時，機器會打開上面的閥門把預(yù)熱好的氣體灌入中間腔體。同樣，要進(jìn)行低溫沖擊時則會打開下面的閥門把低溫氣體引入中間腔體。整個高低溫循環(huán)的過程中，樣品在中間腔室是不動的，對溫度的沖擊沒有兩箱式來的猛烈，換句話說就是溫度沖擊相對比較溫柔。
測試條件:
Condition B：- 55℃ to 125℃
Condition C：- 65℃to 150℃
失效機制：電介質(zhì)的斷裂，材料的老化（如bond wires），導(dǎo)體機械變形
具體的測試條件和估算結(jié)果可參考以下標(biāo)準(zhǔn):
MIT-STD-883E Method 1011.9
JESD22-B106
EIAJED-4701-B-141
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